从设备方面来讲,目前全世界还没有商用的专用于紫外LED外延的MOCVD设备,由于高铝组分氮化物材料高效率生产装备的缺失,使得第三代半导体材料和器件应用面临巨大瓶颈,导致高铝组分氮化物器件价格居高不下,严重制约了其应用普及。
公司深紫外MOCVD设备研发技术来源于中科院半导体所,半导体所是我国最早研制、引进MOCVD的科研单位之一,现有多台自主研制和引进的设备,为我们研发自主设备奠定了基础。半导体所同时是我国首台深紫外MOCVD设备设计和制造单位,有着深厚得的技术积累和人才聚集,设计出国内首个300nm以内毫瓦级深紫外LED。而且半导体所拥有完整的紫外LED的核心材料和结构外延技术和工艺,使用自制的装置生长出了5mW的紫外LED管芯,其性能指标在国内第一,在国际上也至少在前五的水平。与单纯的设备生产厂商相比,在深紫外装备领域,半导体所有着非常大的竞争优势--即材料生长工艺研究与设备生产的有机结合。
设备方面的竞争对手是目前全球最主要的MOCVD生产厂商德国Aixtron和美国Veeco公司,以及日本的Nichia、丰田合成公司等。Veeco和Aixtron仅提供通用GaN材料生长装备,目前国际上无商用高铝组分氮化物MOCVD装备。
外延芯片企业主要的竞争对手,国内主要是青岛杰生、厦门三安、晶元光电,这些企业都试图进入深紫外LED领域,国外为美国SET公司,日本日机装。
目前全球没有一家设备生产企业有产业化高温MOCVD产品,因此所有竞争厂商处于同一起跑线上。但由于我们在外延工艺方面及设备研发方面都有相当多的技术积累,相信我们会在竞争中具有一定的优势,并获得行业的领先地位
以深紫外LED的产业化为目标,通过中国科学院半导体研究所在MOCVD设备、高铝组分氮化物材料外延和深紫外LED器件工艺方面的多年积淀,制备高效率多片高温MOCVD生长系统,实现批量化深紫外LED外延片的生长,生产深紫外LED器件,为发挥深紫外LED优势,开拓深紫外LED的市场做出贡献。
深耕深紫外LED产业化,为白色家电保驾护航
“我们专注于深紫外(300nm以下)LED的产业化。针对深紫外氮化物外延生长设备、深紫外LED的外延工艺、深紫外LED的器件工艺,为客户提供能够充分发挥深紫外LED性能的材料和器件,共同开发深紫外LED的市场。”北京中科优唯科技有限公司董事长付强这样介绍中科优唯。
白色家电紫外LED消毒产品市场潜力巨大
根据Yole Development的预测:到2017年UV LED市场规模可达2.7亿美元,超过整个紫外光源市场的1/3,未来五年内的复合年增长率可高达34%。白色家电将是使用深紫外LED消毒应用的一大新领域。电冰箱、洗衣机、空调机、空气净化器、饮水机等产品都有使用小型消毒器的需求。各大厂家都在寻找适合的产品。紫外LED具有体积小、设计方便、没有污染等特点,十分适合在白色家电中应用。2014年,我国电冰箱、洗衣机、空调、空气净化器、饮水机的产品分别为8796万台、7114万台、14463万台、1025万台、和1785万台,合计33,183万台。每台产品增加紫外LED消毒功能,成本增加50-100元,家电厂家是乐于接受的。
未来,全国白色家电紫外LED消毒产品市场容量将达150—300亿人民币,全球白家电紫外LED消毒产品市场容量为300—600亿人民币。
中科优唯(http://youwilltech.cn/#)应运而生
在这样巨大的市场前景下,中科优唯应运而生,我们是在中国科学院半导体研究所技术成果基础上于2015年2月组建的高新技术企业,目前主要提供以下产品和服务。
1、深紫外(小于300nm)LED外延片-基于自制专用MOCVD;
2、深紫外(小于300nm)LED芯片-波长可选、芯片面积可定制;
3、可为客户定制各种不同波长的深紫外LED外延片和芯片、各种尺寸和形貌LED芯片、开发深紫外LED封装和应用和深紫外相关设备、外延、器件方面的合作。
半导体所水平国际前五
从竞品来说,目前全世界还没有商用的专用于紫外LED外延的MOCVD设备,由于高铝组分氮化物材料高效率生产装备的缺失,使得第三代半导体材料和器件应用面临巨大瓶颈,导致高铝组分氮化物器件价格居高不下,严重制约了其应用普及。而中科优唯的深紫外MOCVD设备研发技术来源于中科院半导体所。半导体所是我国最早研制、引进MOCVD的科研单位之一,现有多台自主研制和引进的设备,为我们研发自主设备奠定了基础。
半导体所是我国首台深紫外MOCVD设备设计和制造单位,有着深厚得的技术积累和人才聚集,设计出国内首个300nm以内毫瓦级深紫外LED。而且半导体所拥有完整的紫外LED的核心材料和结构外延技术和工艺,使用自制的装置生长出了5mW的紫外LED管芯,其性能指标在国内第一,在国际上也至少在前五的水平。与单纯的设备生产厂商相比,在深紫外装备领域,半导体所有着非常大的竞争优势--即材料生长工艺研究与设备生产的有机结合。
核心成员来源中科院半导体所
中科优唯核心技术团队成员主要来自于中科院半导体所。
董事长付强在1995年至2007年先后任职国家科技部国际合作司和办公厅,从事国际科技合作项目管理、国家高技术计划及高新技术开发区等相关管理工作;2007年辞去公职加入美国NEA风险投资基金,负责该基金在华的清洁技术领域投资活动;2011年应邀加入国家半导体照明工程研发及产业联盟,出任联盟副秘书长,参与半导体照明联合创新重点实验室的组建和成果转化、孵化工作。
总经理曾一平,博士生导师。中国科学院半导体研究所研究员,长期从事半导体材料及器件的研究工作,先后在国内首次研制出室温连续激射的AlGaAs(铝镓砷)/GaAs量子阱激光器材料和具有室温光双稳性能的自电光效应器件材料。
技术副总段瑞飞:博士研究生,曾任中国科学院半导体所科技开发处副处长。熟悉化合物半导体外延设备、工艺、器件制备工艺以及应用市场,同时有较好的科研管理经历,作为项目技术负责人,完成了国内首台立式多片HVPE自动化设备的设计和安装调试,改进外延工艺大幅提高LED发光效率并用于企业生产。
公司专利保护初见规模
公司现已申请专利有:
1、发明专利: 双喷头MOCVD 反应室,申请号: 201510324888.9
2、发明专利: 高温化学气相沉积设备及其加热系统,申请号: 201510324880.2
3、发明专利:一种半导体材料的外延方法 申请号:2016101688516
4、发明专利:旋转预混的MOCVD上下盘匀气组件 ,准备提交
5、发明专利:H型喷头的MOCVD匀气上下盘组件,准备提交
软件著作权:
1、MOCVD生成工艺配发系统 ,登记号:2016SR107282
2、中科优唯资料管理系统正在申请当中。
本次融资需求和用途
本次融资总资金需求5000万元人民币。其中,用于洁净厂房和配套设施1000万元;用于外延设备投资2000万元;用于芯片设备投资800万元;用于生产流动资金1200万元。
未来,中科优唯会以深紫外LED的产业化为目标,通过中国科学院半导体研究所在MOCVD设备、高铝组分氮化物材料外延和深紫外LED器件工艺方面的多年积淀,制备高效率多片高温MOCVD生长系统,实现批量化深紫外LED外延片的生长,生产深紫外LED器件,为发挥深紫外LED优势,开拓深紫外LED的市场做出贡献。
以上的中科优唯是2016第二届IPRC知识产权创新创业(中国区)大赛的优秀项目之一,本次大赛支持双创和智能制造,为更好的结合科技+知识产权+金融;为更多的科技型创新企业提供更多的资源和资金支持,让企业真正重视创新、重视技术研发,对企业知识产权保护有一个全新的认知;同时让真正的创新技术不再沉睡,技术专利变成资金,并像其他资产一样可以入股作价,帮助企业更好的融到钱,更好的发展;让企业和风险投资重新审视创新技术的价值。
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